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Si3909DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
T J = 150 °C
0.6
0.5
0.4
I D = 1.2 A
I D = 1.8 A
1
0.1
T J = 25 °C
0.3
0.2
0.1
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
8
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μA
0.4
6
0.2
4
0.0
2
- 0.2
- 0.4
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
30
2
1
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Notes:
P DM
t 1
0.1
0.05
0.02
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 130 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 70968
S09-2276-Rev. B, 02-Nov-09
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